在手機通信系統中，射頻前端模塊作為核心組件決定了終端的通信制式、收發信號強度、通話穩定性等，是能直接影響用戶體驗的重要環節。隨著手機芯片逐漸向多模方向發展，支持頻段數量不斷增加，射頻前端器件的數量也跟著增加，而射頻前端器件的設計復雜度更是呈現指數級增長。

       在5G時代下，大唐半導體科技有限公司（以下簡稱“大唐半導體”）結合自身在4G時代的積累，并且憑借其射頻模擬團隊的出色研發能力，近日，首顆5G射頻前端器件成功流片并完成測試，設計效果達到目標。該產品是一款支持頻段3.3~3.8GHz的LNA（低噪聲放大器），具有面積小、噪聲系數小、增益可調、低功耗、低成本的特點，并能支持增益模式、直通模式、關斷模式切換。目前該芯片已進入客戶送樣階段。

       考慮到5G智能手機中天線和射頻通路的數量顯著增多，對LNA的數量需求會迅速增加，而手機PCB卻沒有更多的空間，集成度高的射頻前端模塊將更有優勢，因此大唐半導體后續將致力于提供更高集成度的射頻前端模塊。

       大唐半導體目前在青島、北京、上海和鹽城等地設立有研發中心，專注芯片設計、應用產品和解決方案開發與銷售等工作。研發團隊具備IC全流程設計能力，擁有數字、模擬、射頻和數?；旌闲酒木C合規劃與設計能力，有豐富的28nm、40nm和 55nm工藝水平下的大規模SOC設計和量產經驗。當前芯片方向聚焦在藍牙、電子雷管、5G射頻前端、第三代功率半導體等領域。期待大唐半導體的5G射頻前端器件未來有更好的表現，為射頻領域帶來新的活力！